对同步半导体记忆装置输入资料之方法及资料输入电路

摘要

本发明揭示一种同步半导体记忆装置的资料输入电路，其可包含一侦测单元来侦测一资料闪切信号的相位是否领先或落后一时脉信号的相位。一延迟单元可在当该资料闪切信号的相位领先该时脉信号的相位时延迟该资料闪切信号一第一持续时间，并可在当该资料闪切信号的相位落后该时脉信号的相位时延迟该资料闪切信号一第二持续时间。一资料输入单元可回应于该延迟单元的输出信号，同步先前由该资料闪切所撷取的一第一输入资料信号到该时脉信号。该资料输入电路可使用一内部延迟而有效地同步一输入资料信号，其可在当该时脉信号的频率超过一预定临界值时来调整。