半导体元件及其制造方法

摘要

一种在其相对简单之组态限制下可以展现高gm(大的开启电流)而且具有媲美Si–MOSFET之特性的TFT以下列步骤被制成：在一Mo薄膜上涂布一比方说正光阻；从玻璃基板那一侧在一背闸电极之光罩下使该光阻接受背部曝光，以形成一具有相同几何并与该背闸电极对准之光阻图案，因为该曝光光线被该背闸电极拦截但仍可穿过该Mo薄膜；以及在该光阻图案之光罩下蚀刻该Mo薄膜，以形成一以自我对准方式具有与该光阻图案相符之几何的顶闸电极。