| 主权项 |
1.一种杂音滤波器,其特征为,在绝缘基板上形成第 1螺 旋状电极,在该第1螺旋状电极上,介由电介体层形 成第2 螺旋状电极。2.一种杂音滤波器,其特征为,在绝缘 基板上形成第1螺 旋状电极,在该第1螺旋状电极上及绝缘基板上形 成电介 体层,而在该电介体层上,以至少一部分重叠在上 述第1 螺旋状电极状形成第2螺旋状电极。3.如申请专利 范围第1或第2项所述之杂音滤波器,其特征 为,将一方之螺旋状电极之至少一个端部接地,将 另一方 之螺旋状电极之两端串联接在传送信号通路,使以 正常模 式动作。4.如申请专利范围第或第2项所述之杂音 滤波器,其特征 为,将两螺旋状电极之两端部,串联接在传送信号 通路, 使其以共同模式动作。5.如申请专利范围第1或第2 项所述之杂音滤波器,其特征 为,绝缘基板使用半导体基板。6.如申请专利范围 第1或第2项所述之杂音滤波器,其特征 为,绝缘基板使用磁性绝缘体基板。7.如申请专利 范围第1或第2项所述之杂音滤波器,其特征 为,在绝缘基板形成多数杂音滤波器,将其一体化 。8.如申请专利范围第1或第2项所述之杂音滤波器 ,其特征 为,形成在有积体电路之基板上。第1图系以制造 过程之 顺序表示本发明之杂音滤波器之第1实施例之截面 图。第 2图系第1图之过程制造之杂音滤波器之平面图(a) 及截 面图(b)。第3图系表示本发明之杂音滤波器之第2 实施 例之截面图。第4图系以制造过程之顺序表示本发 明杂音 滤波器之第3实施例之截面图。第5图系表示将第1 实施 例-第3实施例之过程制造之杂音滤波器封装后之 状态之 一个例子之截面图。第6图系本发明之杂音滤波器 之第4 实施例之截面图。第7图系表示传统之杂音滤波器 之一个 例子之表面图(a),侧面图(b),背面图(c) 。第8图系传 |
