发明名称 PROCESS OF ETCHING OF SILICON DIOXIDE ON SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号 RU2025823(C1) 申请公布日期 1994.12.30
申请号 SU19925039893 申请日期 1992.04.23
申请人 VALIEV KAMIL A;VELIKOV LEONID V;DUSHENKOV SERGEJ D 发明人 VALIEV KAMIL A;VELIKOV LEONID V;DUSHENKOV SERGEJ D
分类号 H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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