CIRCUIT CONSTRUCTION FOR CONTROLLING SATURATION OF A TRANSISTOR.

摘要

L'invention concerne un circuit intégré qui comprend un substrat semiconducteur, une couche semiconductrice formée sur le substrat, un transistor bipolaire sélectionné formé dans la couche semiconductrice. Des éléments parasites premier et secondaire sont formés dans le circuit intégré. Un élément qui détecte le moment où le second élément parasite devient actif et empêche que la tension collecteur-émetteur du transistor bipolaire sélectionné n'augmente en réponse à un écoulement de courant dans le second transistor parasite, est également prévu. Cet élément peut être une région semiconductrice formée dans la couche semiconductrice. Le transistor peut être un transistor de type npn ou pnp fabriqué selon un procédé bipolaire complémentaire ou autre qui permet de fabriquer un transistor avec un premier et un second élément parasites. Ladite invention peut également être utilisée dans l'étage de sortie d'un amplificateur opérationnel. L'élément qui détecte l'activité du second transistor parasite intercepte les ondes porteuses qui se déplacent en direction des bandes d'isolement de jonction et du substrat à partir du collecteur du transistor bipolaire sélectionné.