| 发明名称 | 一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 栅氧化硅层的制备工艺是集成电路制造工艺中的关键工艺技术。在常规栅氧化硅中掺入少量的氮元素可以改善栅氧化硅的特性。本发明利用快速退火炉(RTO)能够很精确地控制元素扩散的特性，用多步氧化、退火(扩散)的方法，一层一层地生长所需要的氧化硅，控制薄栅氧化硅层的厚度和氮元素在栅氧层中的分布。由此方法制备的薄栅氧化硅既可有效解决硼(B)穿透问题，增强薄栅氧层的可靠性、减低其漏电流，又不会对沟道载流子的迁移率产生明显影响，因而是一种可应用于深亚微米集成电路的理想的薄栅氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1259699C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200310108276.3 | 申请日期 | 2003.10.30 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 陈寿面 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件中含氮栅氧化硅层结构的制造工艺，使用快速退火炉，在常压或 减压下进行，其特征在于具体步骤如下： A、在NO或N<sub>2</sub>O气体中，800-1100℃温度下，在清洁的硅片表面生长一薄层氮氧化 硅，厚度为5到20； B、关闭NO或N<sub>2</sub>O气体，换用纯氧气体，在此纯氧气体中让硅片进一步氧化，在刚 生长的SiON膜下生长一薄层氧化硅层，厚度为3到15； C、关闭O<sub>2</sub>气体，再换用NO气体，并在此NO气体中退火，使NO气体中的部分N扩散到氧化硅和硅之间的界面，形成SiON界面层，厚度为3到10； D、关闭NO气体，换用O<sub>2</sub>或N<sub>2</sub>气体，使上述生长好的栅氧化硅进一步在O<sub>2</sub>或N<sub>2</sub>气体中退火10～50秒钟，把分布在氧化硅与硅界面的N元素推离硅表面3到10。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||