| 主权项 |
1.一种绘图装置,系备有沿着绘图面向所定的扫描方向作相对移动的绘图头、根据绘图资料执行绘图者,其具备:绘图元件群,由复数的绘图元件以二次元配列于与绘图面实质平行的面内而构成,且绘图面全体对于前述扫描方向以所定的倾斜角度作倾斜而生成二次元状的绘图图素群;设定手段,将绘图倍率设定为使其持有小数点以下的値;及资料配予手段,以可成为与前述小数点以下的値相对应之解像度的方式,以所定之时序将前述绘图资料配予前述各绘图元件。2.如申请专利范围第1项之绘图装置,其中在所描绘各领域将前述画素划分群组而构成画素群,所定的绘图资料系以对应于该画素群的方式由前述资料配予手段作配予。3.如申请专利范围第1项之绘图装置,其中依据设定手段之前述绘图倍率的设定,系经由变化前述绘图元件的绘图资料切换时间而被执行。4.如申请专利范围第1项之绘图装置,其中依据设定手段之前述绘图倍率的设定,系经由变化前述绘图头的相对移动速度变化而被执行。5.如申请专利范围第1项之绘图装置,其中再具备:将来自于前述绘图元件的绘图像以所定的倍率在前述绘图面成像的成像手段,而依据设定手段之绘图倍率的设定,系经由变化成像手段的成像倍率而被执行。6.如申请专利范围第1项至第5项中任一项之绘图装置,其中前述绘图头,系为将对应于绘图资料而在各画素调变之光,对作为绘图面的曝光面照射之调变光照射装置。7.如申请专利范围第6项之绘图装置,其中前述调变光照射装置之构成包含:将雷射光照射出来的雷射装置;因应各种控制信号而会变化光调变状态的多数绘图元件以二次元配列、将前述雷射装置所照射出来的雷射光予以调变的空间光调变元件;及藉由因应曝光资讯而生成的控制信号来对前述绘图元件群作控制的控制手段者。8.如申请专利范围第7项之绘图装置,其中前述空间光调变元件,系由因应各种控制信号可变更反射面的角度之多数微镜片以二次元状配列而构成之微镜片元件所构成者。9.如申请专利范围第7项之绘图装置,其中前述空间光调变元件,系由:因应各种控制信号可将透过光遮断之多数液晶单胞以二次元状配列而构成之液晶快门阵列所构成者。10.一种绘图方法,系将绘图头沿着绘图面向所定的扫描方向作相对移动,根据绘图资料执行绘图者,包括下列步骤:于绘图面的实质平行面内、将复数的绘图元件以绘图面全体、对前述扫描方向以所定的倾斜角度倾斜以二次元配列而构成之;将绘图倍率设定为使其持有小数点以下的値;及因应于前述小数点以下的値将前述绘图资料配予经由前述各绘图元件所描绘之画素而执行绘图者。11.如申请专利范围第10项之绘图方法,其中对于所描绘各领域的前述画素已划分群组的画素群,将所定的绘图资料作配予者。12.如申请专利范围第10项之绘图方法,其中前述绘图倍率的设定,系经由变化前述绘图元件的绘图资料切换时间而被执行。13.如申请专利范围第10项之绘图方法,其中前述绘图倍率的设定,系经由变化前述绘图头的相对移动速度变化而被执行。14.如申请专利范围第10项之绘图方法,其中前述绘图倍率的设定,系经由将来自于前述绘图头的前述绘图元件来的光对前述绘图面所成像的成像倍率予以变化而被执行。15.如申请专利范围第10项至第14项中任一项之绘图方法,其中前述绘图头系将对应于绘图资料的各画素之调变光、对作为绘图面的曝光面照射之调变光照射装置。16.如申请专利范围第15项之绘图方法,其中前述调变光照射装置之构成包含:将雷射光照射出来的雷射装置;因应各种控制信号而会变化光调变状态的多数绘图元件部以二次元配列、将前述雷射装置所照射出来的雷射光予以调变的空间光调变元件;及经由因应曝光资讯而生成的控制信号来对前述绘图元件部作控制的控制手段者。17.如申请专利范围第16项之绘图方法,其中前述空间光调变元件,系由因应各种控制信号可变更反射面的角度之多数微镜片以二次元状配列而构成之微镜片元件所构成者。18.如申请专利范围第16项之绘图方法,其中前述空间光调变元件,系由因应各种控制信号可将透过光遮断之多数液晶单胞以二次元状配列而构成之液晶快门阵列所构成者。图式简单说明:第1图系表示本实施形态的曝光装置之外观斜视图。第2图系表示本实施形态的曝光装置之控制系统的概略方块图。第3图系表示本实施形态的曝光装置之扫描器的构造的斜视图。第4图(A)系表示感光材料形成曝光后领域之平面图,(B)系表示各曝光头的曝光区域之配列图。第5图系表示本实施形态的曝光头的概略构造的斜视图。第6图(A)系表示第5图曝光头的构造沿着光轴之副扫描方向之断面图,(B)为(A)之侧面图。第7图系表示本实施形态曝光头相关的数位微镜片元件(DMD)构造之部分放大图。第8图(A)及(B)系为本实施形态曝光头相关的DMD动作说明图。第9图系表示本实施形态用1个DMD所曝光的曝光位置示意图。第10图系表示本实施形态经由DMD曝光的曝光领域之一部份示意图。第11图系将曝光倍率设为整数的曝光场合的曝光领域之一部份示意图。第12图系有输入画像于本实施形态中,被配予曝光画素所形成画像之范例。第13图(A)系表示光纤阵列光源的构造的斜视图,(B)系(A)的放大图,(C)及(D)系表示雷射射出部之发光点的配列的平面图。第14图系本实施形态相关合波雷射光源之构造的平面图。第15图系本实施形态相关雷射模组之构造的平面图。第16图系表示第15图的雷射模组之构造的侧面图。第17图系表示第15图的雷射模组之构造的部分侧面图。第18图系本实施形态经由DMD所曝光之曝光领域之其他例子的一部分示意图。第19图系第18图的曝光领域的所定画素的划分群组的示意图。第20图系将复数的绘图元件向被绘图面投影时的投影位置H的示意图。第21图系本发明适用场合的曝光节距的示意图。第22图系本发明不适用场合的曝光节距的示意图。 |
