| 发明名称 |
Transistor structure for improved base-collector junction characteristics. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0604163(A3) |
申请公布日期 |
1994.12.28 |
| 申请号 |
EP19930310311 |
申请日期 |
1993.12.20 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS |
发明人 |
PATEL VIREN C |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/10;(IPC1-7):H01L29/73 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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