| 主权项 |
1.一种电容制造方法,其包括如下步骤: a.提供一基板,依次沈积一第一金属层、一绝缘层 及一第一光阻层; b.提供一第一光罩,其包括至少二透光率不同之透 光区,该透光区之透光率大于或等于0且小于1,利用 该第一光罩对该第一光阻层曝光,并显影该第一光 阻层,形成厚度不同之第一光阻图案; c.蚀刻该第一光阻图案及部份绝缘层,形成厚度不 同之绝缘层; d.依次沈积一第二金属层及一第二光阻层于该剩 余绝缘层上; e.利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光,并显 影该第二光阻层,形成第二光阻图案; f.蚀刻未被该第二光阻图案覆盖之部份第二金属 层;及 g.去除该第二光阻图案。 2.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其中 ,该第一光罩进一步包括一透光率为1之全透光区 。 3.如申请专利范围第2项所述之电容制造方法,其中 ,该第二光罩包括一透光率为0之不透光区及一透 光率为1之全透光区。 4.如申请专利范围第3项所述之电容制造方法,其中 ,该第二光罩之全透光区对应于该第一光罩之透光 率为1之全透光区,该第二光罩之不透光区对应于 该第一光罩之透光率小于1之透光区。 5.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其中 ,该第一光罩之透光率大于0且小于1之透光区包括 复数狭缝。 6.如申请专利范围第5项所述之电容制造方法,其中 ,该狭缝之宽度相同。 7.如申请专利范围第5项所述之电容制造方法,其中 ,该狭缝之宽度系渐变设置。 8.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其中 ,步骤a进一步包括使该第一金属层图案化。 9.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其中 ,步骤g系利用丙酮去除该第二光阻图案。 10.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤g系利用甲基乙基酮去除该第二光阻图案 。 11.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,该基板为玻璃、石英或者陶瓷。 12.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,该第一金属层为银、铝或铝钕合金。 13.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,该绝缘层为氧化矽或氧化矽。 14.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤a之沈积方式为化学气相沈积。 15.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤a之沈积方式为物理气相沈积。 16.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤a之沈积方式为旋涂式沈积。 17.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,该第二金属层为银、铝或铝钕合金。 18.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤c之蚀刻方式为乾蚀刻,且蚀刻物质为O3与CF 4之混合气体,O3的气体重量百分比大于CF4重量百方 比。 19.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤C之蚀刻方式为湿蚀刻,且蚀刻物质为剥离 液、HF及NH4F三者之混合溶液,剥离液之重量百分比 大于HF及NH4F溶液之重量百分比。 20.如申请专利范围第19项所述之电容制造方法,其 中,该剥离液之主要成分为乙醇胺、二甲亚及水。 21.如申请专利范围第1项所述之电容制造方法,其 中,步骤f之蚀刻方式为湿蚀刻,且蚀刻物质为HF及NH 4F之混合溶液。 图式简单说明: 第一图系先前技术电容制造方法之流程图。 第二图至第十图系第一图电容制造方法各步骤之 示意图。 第十一图系本发明电容制造方法一较佳实施方式 之流程图。 第八图至第二十图系第十一图所示电容制造方法 各步骤之示意图。 |
