Niedrigtemperatur Oxidschicht, auf einer Feld-Implantierungsmaske abgeschieden.,申请号DE19930307456T-传众专利搜索

发明名称	Niedrigtemperatur Oxidschicht, auf einer Feld-Implantierungsmaske abgeschieden.
摘要
申请公布号	DE589674(T1)	申请公布日期	1994.12.22
申请号	DE19930307456T	申请日期	1993.09.21
申请人	SILICONIX INC., SANTA CLARA, CALIF., US	发明人	CHANG, MIKE F., CUPERTINO, CALIFORNIA 95014, US;GRASSO, DAVID G., SAN JOSE, CALIFORNIA 95132, US;CHEN, JUN-WEI, SARATOGA, CALIFORNIA 95070, US
分类号	H01L21/761;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8249;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/265	主分类号	H01L21/761
代理机构		代理人
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