发明名称 一种液晶矽晶显示面板的制作方法
摘要 本发明揭露一种液晶矽晶(liquid crystal on silicon, LCOS)显示面板的制作方法。首先于一矽基底(silicon substrate)形成相互电连的一控制电路与一电极,接着将一透明导电层结合于该矽基底上,然后进行一灌晶制程,将该矽基底与该透明导电层间之间隙充满一混合有单体分子(monomer)的液晶,再形成一均匀之磁场通过该液晶,使该液晶及该单体分子沿该磁场方向排列成一预倾方向,并以一紫外光照射,将该单体分子(monomer)固化(cure)并键结成高分子(polymer),该电极与该透明导电层中并可产生一电场,使该液晶粒子朝该预倾方向扭转。
申请公布号 TWI286231 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW091101110 申请日期 2002.01.24
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 韦忠光;李
分类号 G02F1/13(2006.01) 主分类号 G02F1/13(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种制作液晶矽晶面板(liquid crystal on silicon, LCOS )的方法,该方法包含有下列步骤: 提供一矽基底(silicon substrate); 提供一透明导电层; 将该透明导电层结合于该矽基底上; 进行一灌晶制程,将该矽基底与该透明导电层间之 间隙充满一混合有单体分子(monomer)的液晶; 形成一均匀之磁场通过该液晶,使该液晶及该单体 分子沿该磁场方向排列成一预倾方向;以及 进行一固化(curing)制程,将该单体分子(monomer)固化 并键结成具有该预倾方向之高分子网路(poIymer network)。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法另包含 有: 形成一控制电路于该矽基底上;及 形成一电极于该矽基底上并电连至该控制电路。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该单体分子( monomer)可为acrylate或diacrylate。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该单体分子的 重量低于该液晶的5%。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该透明导电层 系包含有氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中构成该复数个 电极之材质系选自铝、银及其合金所构成族群中 之任一者。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该固化制程系 以一紫外光照射该液晶分子。 8.一种制作液晶矽晶面板(liquid crystal on silicon, LCOS )的方法,该方法包含有下列步骤: 提供一矽基底(silicon substrate),其中该矽基底上包 含有一控制电路与复数个电极; 提供一透明导电层; 将该透明导电层结合于该矽基底上; 进行一灌晶制程,将该矽基底与该透明导电层间之 间隙充满一混合有单体分子(monomer)的液晶; 形成一均匀之磁场通过该液晶,使该液晶及该单体 分子沿该磁场方向排列成一预倾方向;以及 以一紫外光照射,将该单体分子(monomer)固化(cure)并 键结成一具有该预倾方向之高分子网路(polymer network)。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该单体分子( monomer)可为acrylate或diacrylate。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该单体分子 的重量低于该液晶的5%。 11.如申请专利范围第8项之方法,其中该透明导电 层系包含有氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)。 12.如申请专利范围第8项之方法,其中构成该复数 个电极之材质系选自铝、银及其合金所构成族群 中之任一者。 图式简单说明: 图一至图三为先前技术中液晶矽晶显示面板10的 制作方法。 图四至图六为本发明第一实施例中液晶矽晶显示 面板110的制作方法。 图七为本发明第二实施例中液晶矽晶显示面板210 的制作方法。
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