| 发明名称 |
HIGH-RELIABILITY INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FOR MOS POWER DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06350092(A) |
申请公布日期 |
1994.12.22 |
| 申请号 |
JP19940085838 |
申请日期 |
1994.03.31 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
BURUNO MURARI;FUABIO MARUKIO |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;H03K17/12;(IPC1-7):H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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