| 发明名称 |
EVALUATION METHOD OF SILICON WAFER AND BREAKDOWN STRENGTH OF OXIDE FILM THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06349923(A) |
申请公布日期 |
1994.12.22 |
| 申请号 |
JP19930157965 |
申请日期 |
1993.06.02 |
| 申请人 |
KOMATSU ELECTRON METALS CO LTD |
发明人 |
MOTOURA HISAMI;UEMURA KUNIYUKI;NISHIMURA MASAFUMI;KONO MITSUO |
| 分类号 |
H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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