用于增加记忆体电路中良率之方法及设备

摘要

本发明系关于用于修复记忆体电路中之一或多个短路记忆体单元的设备，该设备包括控制电路。该控制电路可在至少一第一模式及一第二模式之一者中操作。在第一模式中，该控制电路可操作以将一第一信号施加至记忆体电路中之一选定记忆体单元，以便读取该选定记忆体单元之逻辑状态并判定该选定记忆体单元是否短路。在第二模式中，该控制电路可操作以将一第二信号施加至一已判定为短路之选定记忆体单元，以便起始对该选定记忆体单元之修复，该第二信号在量值上比该第一信号大。