晶圆抗蚀刻剂制程设备以及其制造方法

摘要

本发明系关于一种晶圆制程设备，其系藉由将一膜电极沈积于一基底基板之表面上而制造，接着为该结构涂布一保护涂膜层，该保护涂膜层包含一选自由B、Al、Si、Ga、耐火硬金属、过渡金属组成之群中之元素的一氮化物、碳化物、碳氮化物或氮氧化物及其组合物中的至少一者。该膜电极具有一密切匹配该下方基底基板层之热膨胀系数(CTE)以及该保护涂层之CTE的CTE。