| 主权项 |
1.一种触控面板用导电性膜,其特征在于:在至少具 有由聚对苯二甲酸乙二酯膜所形成之层,及架桥性 物质已硬化成膜之硬化层之基体上,形成导电膜而 成;前述基体在以150℃加热1小时之后之长度方向( MD)及宽度方向(TD)之收缩率均为0.5%以下。 2.如申请专利范围第1项所述之触控面板用导电性 膜,其中作为硬化层者,基体系具有热架桥性物质 已硬化成膜之硬化层。 3.如申请专利范围第2项所述之触控面板用导电性 膜,其中基体系进一步具有:藉由光或电子线之架 桥性物质已硬化成膜之硬化层。 4.如申请专利范围第3项所述之触控面板用导电性 膜,其中基体系于藉由聚对苯二甲酸乙二酯膜所形 成之层之两侧,具有藉由光或电子线之架桥性物质 已硬化成膜之硬化层。 5.如申请专利范围第1项所述之触控面板用导电性 膜,其中导电膜为非晶性ITO(氧化铟锡)。 6.如申请专利范围第1项所述之触控面板用导电性 膜,其藉由预先在处理成以150℃加热1小时之后之 长度方向(MD)及宽度方向(TD)之收缩率均为0.5%以下 之基体,使导电膜附着所获得。 7.如申请专利范围第6项所述之触控面板用导电性 膜,其中至少1层之硬化层系在以100℃至180℃间之 温度,将聚对苯二甲酸乙二酯膜进行热处理之同时 ,或以100℃至180℃间之温度,将聚对苯二甲酸乙二 酯膜进行热处理之后,使架桥性物质在前述聚对苯 二甲酸乙二酯膜之至少一面硬化所获得。 8.一种触控面板用导电性膜之制造方法,其特征在 于具有:基体准备工序,其系准备基体,该基体至少 具有由聚对苯二甲酸乙二酯膜所形成之层,及架桥 性物质已硬化成膜之硬化层,在以150℃加热1小时 之后之长度方向(MD)及宽度方向(TD)之收缩率均为0. 5%以下;及 导电膜附着工序,其系使导电膜附着于藉由前述基 体准备工序所准备之基体者;于前述基体准备工序 ,以100℃至180℃间之温度,将聚对苯二甲酸乙二酯 膜进行热处理之同时,或以100℃至180℃间之温度, 将聚对苯二甲酸乙二酯膜进行热处理之后,使架桥 性物质在前述聚对苯二甲酸乙二酯膜之至少一面 硬化,以使至少1层之硬化层硬化成膜而形成。 图式简单说明: 图1A系表示本发明之触控面板用导电性膜之一例 之图。 图1B系表示本发明之触控面板用导电性膜之其他 一例之图。 图1C系表示本发明之触控面板用导电性膜之其他 一例之图。 图1D系表示本发明之触控面板用导电性膜之其他 一例之图。 图1E系表示本发明之触控面板用导电性膜之其他 一例之图。 图1F系表示本发明之触控面板用导电性膜之其他 一例之图。 |
