镶嵌内连线结构与双镶嵌制程

摘要

一种双镶嵌制程，首先提供一基材，其具有一底层介电层、形成在该底层介电层中之下层导电层，及覆盖住该下层导电层及该底层介电层的盖层，接着，于该盖层上沈积一介电层，再于该介电层上沈积一矽氧层，再于该矽氧层上形成一金属硬遮罩，接着于该金属硬遮罩中形成一沟渠凹口，然后，经由该沟渠凹口，蚀刻该矽氧层与该介电层，形成介层洞开口，使其暴露出部分的该盖层，最后，进行一衬垫层蚀除(LRM)制程，利用一不含氢的氟烷气体混合一含氮气体电浆，选择性地蚀除经由该介层洞开口暴露出来的该盖层，暴露出部分的该下层导电层。