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发明名称 Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen mit Silizid.
摘要
申请公布号 DE69013962(D1) 申请公布日期 1994.12.15
申请号 DE1990613962 申请日期 1990.04.03
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 LIU, RUICHEN, WARREN, NEW JERSEY 07060, US;LU, CHIH-YUAN, WESCOSVILLE, PENNSYLVANIA 18106, US;PAI, CHIEN-SHING, BRIDGEWATER, NEW JERSEY 08807, US;TSAI, NUN-SIAN, ALLENTOWN, PENNSYLVANIA 18104, US
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/285;H01L23/485;H01L21/90;H01L21/320 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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