| 发明名称 |
TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO AVENTE REGIONI DI IMPURITA' DI PROFONDITA' DIVERSE E PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DI ESSO |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1247295(B) |
申请公布日期 |
1994.12.12 |
| 申请号 |
IT1991MI01124 |
申请日期 |
1991.04.23 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
ARIMA HIDEAKI;OHI MAKOTO;AJIKA NATSUO;HACHISUKA ATSUSHI;OKUDAIRA TOMONORI |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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