| 主权项 |
1.一种固态物体整修成型之程序包括如下步骤:将 该物体 配置于一密闭室内,将碘蒸气充入至该密闭室内, 使得碘 被该物体之曝露表面直接吸收,而可使在碘与该表 面之材 料产生化学反应,产生一聚焦离子束,及将该离子 束导向 该表面,以经由至少该表面之一部份溅射,除去包 括碘及 表面材料之反应物质。2.如申请专利范围第1项所 述之程序,其中该碘蒸气为以 将固态碘于该闭室内加热而于该密闭室内制成。3 .如申请专利范围第1项所述之程序,其中该物体包 括一 半导体装置。4.如申请专利范围第1项所述之程序, 其中该曝露表面为 金属。5.如申请专利范围第1项所述之程序,其中该 离子束为使 用一液态金属离子源所产生。6.如申请专利范围 第1项所述之程序,其中该金属包括镓 。7.如申请专利范围第1项所述之程序,大致上包括 将该密 闭室抽真空,以维持该密闭室内部于一低压。8.如 申请专利范围第1项所述之程序,包括将该碘蒸气 导 向该物体之表面。9.如申请专利范围第1项所述之 程序,包括依移动之模式 将该离子束偏向,其中被除去材料之结构相当于偏 向模式 。10.一种半导体装置修整成型之程序包括如下步 骤:将该 装置于聚焦离子束系统之大致气体密闭室内之凸 阶上,将 固态碘置于该密闭室内及将该碘加热至一温度超 过30℃以 产生碘蒸气,将该碘蒸气导向该装置之区域,其中 处理必 需可使该装置所制成材料及碘间产生化学反应,藉 由该聚 焦离子束系统产生一聚焦离子束,及将该离子束导 向需被 作处理该装置之该区域,而扫描之该离子束以一扫 描模式 扫描该区域,以经由至少该区域之一部份以离子溅 射除去 ,及将该密闭室抽真空,以除去碘及该装置所制成 材料之 反应物质。11.如申请专利范围第10项所述之程序, 其中该该碘蒸气 及该离子束被导向该装置之区域,用以对该区域作 处理, 此区域包括金属材料。12.如申请专利范围第10项 所述之程序,其中该该碘蒸气 及该离子束被导向该装置之区域,用以对该区域作 处理, 此区域包括绝缘材料。13.如申请专利范围第10项 所述之程序,其中该该碘蒸气 及该离子束被导向该装置之区域,用以对该区域作 处理, 此区域包括半导体材料。14.如申请专利范围第10 项所述之程序,其中该该碘蒸气 及该离子束被导向该装置之区域,用以对该区域作 处理, 此区域包括多数层。图式1为一用于达成本发明程 序之聚 焦离子束系统之概图说明;图式2为一部份切开横 截面剖 视图,其对对图式1中之系统一蒸气源作更详细之 说明; 图式3为一半导体装置之部份剖视图;图式4为图式3 装 置具有其上以离子束溅射除去部份之剖视图;及图 式5为 一半导体材料方块部份,其具有一上表面被处理除 去后之 |
