| 主权项 |
1.一种多模光纤的雷射次模组结构，用以组接光纤及调整光功率输出的雷射次模组结构，包括：一连接器，其上具有一管部，该管部内设有一插接光纤之插槽，该管部连接有一组装室，该组装室内设有一组装空间，该组装空间内壁上设有一组接部；一雷射二极体，其具有一基座，该基座上设有一正面、底面及圆周面，该正面组接一盖体，于该盖体上中央处配置有一平面玻璃；其中，该雷射二极体与该连接器组接，该盖体进入该组装室的组装空间里，使基座的圆周面迫紧于该组接部上。2.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该连接器为金属材质，如不锈钢或无铅铜镀镍等不同材质。3.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该管部外缘具有一凸垣。4.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该组装空间与该插槽之间设有一通孔，该通孔形成该组装空间与该插槽相通。5.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该雷射二极体为面射型雷射二极体时，该基座为Fe-Ni合金镀金材质。6.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该基座上设有复数接脚，该接脚一端穿过基座，该基座的正面与该穿过基座的复数接脚相邻处设有一绝缘垫片，该绝缘垫片上固接有一雷射晶片，该雷射晶片与该复数接脚间电性连接有复数导线。7.如申请专利范围第6项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该雷射二极体为边射型雷射二极体时，在该基座的正面一侧上固接有一柱体，该柱体上黏着一雷射晶片，将一光侦测器黏着于该绝缘垫片上，将直接接收来自边射型雷射的背光，以检测雷射光源强度。8.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该雷射二极体为边射型雷射二极体时，在调整光功率输出，以调整雷射晶片黏着的位置直接改变距离，以调整光功率输出大小。9.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该雷射二极体为面射型雷射二极体时，该组装空间的深度等于该雷射二极体的盖体的表面至基座的底面长度时，将该基座正面上的一绝缘垫片的厚度增加，使一位于该绝缘垫片上的雷射晶片距离光纤较近时，该光功率输出较大。10.如申请专利范围第9项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该绝缘垫片的厚度变薄时，该雷射晶片距离该光纤较远时，该光功率输出较小。11.如申请专利范围第1项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该雷射二极体为面射型雷射二极体时，该组接部的长度大于该基座厚度时，该雷射二极体的基座进入组装空间的深度，越深时，使该雷射二极体上的一雷射晶片距离光纤较近时，该光功率输出较大。12.如申请专利范围第11项所述之多模光纤的雷射次模组结构，其中，该基座进入组装空间的深度较浅时，使该雷射晶片距离光纤较远时，该光功率输出较小。图式简单说明：第一图，系传统雷射次模组结构。第二图，系本创作之雷射次模组结构外观立体示意图。第三图，系本创作之雷射次模组结构剖视分解示意图。第四图，系本创作之雷射次模组结构组合剖视示意图。五图a、b，系本创作之面射型雷射二极体的雷射次模组结构的调整光功率大小示意图。第五图c，系本创作之边射型雷射二极体的雷射次模组结构的调整光功率大小示意图。第六图a、b，系本创作之面射型雷射二极体的雷射次模组结构另一种调整光功率大小示意图。 |
