发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterfeinstruktur und damit hergestellte Halbleiterbauelemente, beispielsweise Vertikaltransistoren
摘要
申请公布号 DE4235152(C2) 申请公布日期 1994.12.08
申请号 DE19924235152 申请日期 1992.10.19
申请人 INSTITUT FUER HALBLEITERPHYSIK GMBH FRANKFURT (ODER), 15230 FRANKFURT, DE 发明人 WINKLER, WOLFGANG, DR.-ING., O-1200 FRANKFURT, DE;TEMMLER, DIETMAR, DR.-ING., O-1200 FRANKFURT, DE;HEINEMANN, BERND, DIPL.-PHYS., O-1200 FRANKFURT, DE;WOLFF, ANDRE, DIPL.-ING., O-1200 FRANKFURT, DE;RITTER, GEORG, DR.RER.NAT., O-1200 FRANKFURT, DE;BLUM, KATRIN, DIPL.-CHEM., O-1200 FRANKFURT, DE;SCHNEIDER, HARTMUT, O-1200 FRANKFURT, DE;ERZGRAEBER, HEIDE, DR.-ING., O-1200 FRANKFURT, DE
分类号 H01L21/335;H01L29/772;(IPC1-7):H01L21/335;H01L21/76;H01L29/804;H01L29/784;H01L27/105 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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