| 摘要 |
本发明系提供一种化合物半导体发光二极体（101），其系在透明基体部（25）上形成元件构造部（10），该元件构造部（10）系含有第1传导型之化合物半导体层、由磷化铝镓铟混晶（组成式（Al#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!）#sB!0.5#eB!In#sB!0.5#eB!P；0≦X＜1）而成之发光层（13）、与相反于第1传导型的传导型之化合物半导体层，而在该元件构造部（10）上具备第一欧姆电极（1），在该透明基体部（25）的相反侧形成第二欧姆电极（5），被覆该第二欧姆电极（5）而形成金属被覆膜（6），被覆该金属被覆膜（6）而形成与该第二欧姆电极（5）导通的金属制之底座部（7）。 |
