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发明名称
形成积体电路结构的方法
摘要
本发明提供一种形成积体电路结构的方法,包括,形成介电层,于介电层中形成开口,于第一反应室中进行第一沉积步骤以形成晶种层,以及于不同于第一反应室之第二反应室中,进行第一蚀刻步骤以移除晶种层之一部分。
申请公布号
TW200935556
申请公布日期
2009.08.16
申请号
TW097124204
申请日期
2008.06.27
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
苏莉玲;潘兴强;黄震麟;谢静华
分类号
H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L21/768(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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