| 发明名称 | 溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶 | ||
| 摘要 | 一种金属碳化物纳米晶的制备方法，适合于难熔金属如钛、铌、钽、钼、钨，其特征在于工艺过程和参数如下：用机械泵和扩散泵将真空抽到10<SUP>-5</SUP>—10<SUP>-6</SUP>Torr；充氩气；用纯难熔金属作靶，靶极距50～80mm，无外界加热和冷却，直接溅射沉积。本发明工艺简单易行。 | ||
| 申请公布号 | CN1096061A | 申请公布日期 | 1994.12.07 |
| 申请号 | CN93111176.5 | 申请日期 | 1993.05.29 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 姜洪刚;佟华宇;丁炳哲;宋启洪;胡壮麒 |
| 分类号 | C23C14/34;C01B31/30 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 闵宪智 |
| 主权项 | 1、一种金属碳化物纳米晶的制备方法，适合于难熔金属如钛、铌、钽、钼、钨，其特征在于工艺过程和参数如下：--用机械泵和扩散泵将真空抽到10-5-10-6Torr；--充氩气；--用纯难熔金属作靶，靶极距50～80mm，无外界加热和冷却，直接溅射沉积。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||