发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 접속하는 소자의 구동전압에 의해 트랜지스터의 드레인 전압이 결정된다. 트랜지스터의 소형화에 따라 드레인 영역에 집중하는 전계 강도가 높아져, 핫캐리어가 생성하기 쉬워진다. 드레인 영역에 전계가 집중하기 어려운 트랜지스터를 제공하는 것을 과제의 한가지로 한다. 또한, 트랜지스터를 갖는 표시장치를 제공하는 것을 과제의 한가지로 한다. 높은 도전율을 갖는 제1배선층 및 제2배선층의 단부와 게이트 전극층의 중첩을 없애는 것에 의해, 제1전극층 및 제2전극층 근방에 전계가 집중하는 현상을 완화해서 핫캐리어의 발생을 억제하고, 덧붙여 제1배선층 및 제2배선층보다 고저항의 제1전극층 및 제2전극층을 드레인 전극층으로서 사용해서 트랜지스터를 구성한다.
申请公布号 KR101629638(B1) 申请公布日期 2016.06.13
申请号 KR20100025037 申请日期 2010.03.22
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 아키모토 켄고;고도 히로미치;미야나가 아키하루
分类号 G02F1/136;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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