| 摘要 |
(과제)트랜지스터에 접속되는 배선이 트랜지스터의 채널폭 방향과 수직인 방향으로부터 도입되는 경우에 있어서도, ESD에 대한 보호 동작시에 트랜지스터 전체에서 균일하게 동작할 수 있는 ESD 보호용의 N형 MOS 트랜지스터를 가지는 반도체 장치를 제공한다. (해결 수단)드레인 영역과 소스 영역이 하나씩 게이트 전극을 사이에 두고 교대로 배치된, 복수의 트랜지스터가 일체화된 구조를 가지는 ESD 보호용의 N형 MOS 트랜지스터에 있어서, 소스 영역에 접속되는 제1 메탈 배선이, 제2 메탈 배선과 접속되어 있고, 제1 메탈 배선과 제2 메탈 배선을 전기적으로 접속하기 위한 일정한 크기를 가지는 비아 홀의 배치수를, ESD 보호용의 N형 MOS 트랜지스터로 외부로부터 배선되는 배선의 거리에 따라, 1 내지 3까지의 개수비가 되도록 형성한다. |
