发明名称 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE
摘要 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버, 서셉터, 배플, 가스 공급부, 플라스마 발생부 등을 포함한다. 플라스마 발생부는 가스 공급부에서 공급된 제 1 가스를 플라스마로 여기한다. 여기된 플라스마는 웨이퍼 표면에 잔류하는 접착제를 제거한다. 플라스마가 잔류 접착제를 제거하는 동안 서셉터에는 고주파 전력이 인가되어 플라스마의 웨이퍼에 대한 이온 충돌을 유발함으로써 보다 효율적인 잔류 접착제 제거 공정을 수행할 수 있다.
申请公布号 KR101635451(B1) 申请公布日期 2016.07.01
申请号 KR20140025085 申请日期 2014.03.03
申请人 피에스케이 주식회사 发明人 류제혁
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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