| 主权项 |
1.一种互补金氧半导体(CMOS)输入级,使用选择性具 有其 第一数値或其第二较高数値之供电电压操作,包括 :一供 应电压接头,在操作时选择性地接收供电电压之第 一数値 或第二数値,一参考电位接头,以及一输入接头;具 有一 负载路径及一闸极接头之第一导电型的第一场效 电晶体, 以及具有一负载路径及一闸极接头之第二导电型 之第二场 效电晶体;此等场效电晶体之负载路径均系予以串 联连接 在供电电压接头与参考电位接头之间;该等场效电 晶体之 闸极接头均系予以连接至输入接头;以及用以将该 等场电 晶体中之至少一个的负载路径电阻调节为就供电 电压所选 择之一特别数値的函数之控制装置。2.如申请专 利范围第1项之互补金氧半导体输入级,包括 :供一临限可逆信号用之连接接头;具有具备负载 路径及 闸极接头之第二导电型之两个另外场效电晶体的 控制装置 ;该等另外场效电晶体之负载路径均系予以连接在 一串联 电路中,该串联电路则与该第二场效电晶体之负载 路径并 联;以及该等另外场效电晶体中之一个的闸极接头 予以连 接至该输入接头,及该等另外场效电晶体中之其他 个的闸 极接头予以连接至供临限可逆信号用的连接接头 。3.如申请专利范围第1项之互补金氧半导体输入 级,包括 :供一临限可逆信号用之连接接头;具有具备负载 路径及 闸极接头之第一导电型之两个另外场效电晶体的 控制装置 ;该等另外场效电晶体之负载路径均系予以连接成 并联以 及予以连接在供电电压接头与第一及第二场效电 晶体之负 载路径的串联连接之间的供电电压侧上;以及该等 另外场 效电晶体中之一个的闸极接头予以连接至输入接 头,及该 等另外场效电晶体之其他个的闸极接头予以连接 至供临限 可逆信号用之连接接头。4.一种互补金氧半导体 缓冲器级,包括:一种用选择性具 有其第一数値或其第二较高数値之供电电压操作 之互补金 氧半导体输入级,包含:一供电电压接头,操作时选 择性 接收一供电电压之第一数値或第二数値,一参考电 位接头 ,以及一输入接头;具有一负载路径及一闸极接头 之第一 导电型之第一场效电晶体,以及具有一负载路径及 一闸极 接头之第二导电型之第二场效电晶体;该等场效电 晶体之 负载路径均系予以串联连接在供电电压接头与参 考电位接 头之间;该等场效电晶体之闸极接头均系予以连接 至输入 接头;以及用以将该等场效电晶体中之至少一个的 负载路 径电阻调节为就供电电压所选择之一项特别数値 的函数之 控制装置;一反相器,其具有一输入连接至该互补 金氧半 导体输入级之输出电压边下游并具有一输出;以及 一吸持 场效电晶体,其具有一负载路径连接成与第一场效 电晶体 之负载路径并联并以其闸极接头连接至该反相器 输出。5.如申请专利范围第4项之互补金氧半导体 缓冲器级,其 中该互补金氧半导体输入级包含:供一临限可逆信 号用之 连接接头;具有具备负载路径及闸极接头之第2导 电型之 两个另外场效电晶体的控制装置;该等另外场效电 晶体之 负载路径均系予以连接在一串联电路中,该串联电 路则与 第二场效电晶体之负载路径并联;以及该等另外场 效电晶 体中之一个的闸极接头予以连接至输入接头,以该 等另外 场效电晶体中的其他个的闸极接头则系予以连接 至供临限 可逆信号用之连接接头。6.如申请专利范围第4项 之互补金氧半导体缓冲器级,其 中该互补金氧半导体输入级包含:供一临限可逆信 号用之 连接接头;具有具备负载路径及闸极接头之第一导 电型之 两个另外场效电晶体的控制装置;该等另外场效电 晶体之 负载路径予以连接成并联并系予以连接在供电电 压接头与 第一及第二场效电晶体之负载路径之串联连接之 间的供电 电压侧上;以及该等另外场效电晶体中之一个的闸 极接头 予以连接至输入接头,以及该等另外场效电晶体中 之其他 个之闸极接头则系予以连接至供临限可逆信号用 之连接接 头。图1为根据本发明之一种互补金氧半导体输入 级并在 n通道技术中具有一可逆临限之第一示范具体实例 之示意 电路图。图2为根据本发明并具有p通道技术中之 可逆临 限之一种互补金氧半导体输入级之第二示范具体 实例之电 |
