| 摘要 |
예시된 실시예에 따라서, 수직 구조체를 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판을 제공하는 단계; 기판 위에 제1 산화물층을 형성하는 단계; 제1 산화물층 위에 제1 더미층을 형성하는 단계; 제1 산화물층 및 제1 더미층을 에칭하여 리세스를 형성하는 단계; 리세스 내의 제2 더미층을 형성하는 (또한 제2 더미층 상에 CMP를 더 수행하며 제1 더미층 상에서 정지함) 단계; 제1 더미층을 제거하는 단계; 제1 산화층을 제거하는 단계; 및 기판을 에칭하여 수직 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 예시적인 실시예에 따라서, 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 기판; 기판에 매립된 STI; 및 STI와 실질적으로 정렬된 소스를 갖는 수직 트랜지스터를 포함한다. |
