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发明名称
Dispositif à semiconducteur composite notamment transistor à effet de champ à mobilité électronique élevée.
摘要
申请公布号
FR2689318(B1)
申请公布日期
1994.11.25
申请号
FR19930002876
申请日期
1993.03.12
申请人
FUJITSU LTD
发明人
SOSHI OMURA
分类号
H01L29/812;H01L21/285;H01L21/335;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/812
主分类号
H01L29/812
代理机构
代理人
主权项
地址
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