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<p>Verfahren zur Herstellung eines Siliziumbauelementes mit SOI-Funktionselementen und Bulk-Funktionselementen, bei dem die dünne Siliziumschicht (3) und die Isolatorschicht (2) eines SOI-Substrates (1) in für die Bulk-Funktionselemente vorgesehenen Bereichen weggeätzt werden und in den Bereichen dieser Öffnungen (4) die Bulk-Funktionselemente hergestellt werden.</p> |
