| 发明名称 |
Method of manufacturing self-aligned transistors with increased base contact conductively. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0609052(A3) |
申请公布日期 |
1994.11.23 |
| 申请号 |
EP19940300545 |
申请日期 |
1994.01.25 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. |
发明人 |
IMHAUSER, WILLIAM P. |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/331;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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