Procédé pour augmenter la vitesse de revêtement, procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma, et chambre à plasma.

摘要

La présente invention concerne un procédé pour augmenter la vitesse de traitement moyennant une réduction simultanée de la sollicitation de couche par le bombardement ionique dans un procédé CVD avec utilisation d'un plasma. Une densité de poussière (rhos ) répartie de façon prédéfinie le long de la surface à traiter est générée et maintenue dans le plasma. L'invention concerne aussi un procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma (PL). Ce procédé consiste à générer un champ de forces pour les particules emprisonnées dans le plasma. Elle concerne enfin une chambre à plasma sous vide comportant des moyens pour générer la décharge de plasma, un dispositif porte-pièce et des moyens pour générer un champ de forces en vue de commander la densité des particules de poussière.