首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 MOS Transistorkanal-Struktur.
摘要
申请公布号 DE583911(T1) 申请公布日期 1994.11.17
申请号 DE19930306133T 申请日期 1993.08.03
申请人 SILICONIX INC., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 HSHIEU, FWU-IUAN, SAN JOSE, CALIFORNIA 95129, US;YILMAZ, HAMZA, SARATOGA, CALIFORNIA 95070, US;CHANG, MIKE, CUPERTINO, CALIFORNIA 95014, US
分类号 H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784;H01L29/72 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com