| 发明名称 | 抗自软化高纯银材 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种含稀土元素的高纯银材。这种银材含稀土元素为RE中至少一种，含量为10—100ppm，(RE＝Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)。这种银材具有较高抗自软化能力，其电性能和现有高纯银材相当，可代替现有高纯银材用作电极材料，电容器外壳材料，电接触材料和仪器仪表用导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1095113A | 申请公布日期 | 1994.11.16 |
| 申请号 | CN93108789.9 | 申请日期 | 1993.07.19 |
| 申请人 | 中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所 | 发明人 | 宁远涛;赵怀志;邓德国;文飞 |
| 分类号 | C22C5/06 | 主分类号 | C22C5/06 |
| 代理机构 | 云南省专利事务所 | 代理人 | 刘娟宜;张怡 |
| 主权项 | 1、一种含微量稀土元素的高纯银材，其纯度为：Ag99.95%-99.995%，其它杂质含量符合国家GBn64-83，及GBn67-83技术标准，其特征在于所含的稀土元素为RE(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)中至少一种，其总含量为10-100 PPm，余量为银； | ||
| 地址 | 650221云南省昆明市北郊上马村 | ||