| 发明名称 |
PROCESS OF FORMATION OF P TYPE STRUCTURES WITH DEEPLY COMPENSATED LAYER ON SAMPLES |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
RU2023326(C1) |
申请公布日期 |
1994.11.15 |
| 申请号 |
SU19925040081 |
申请日期 |
1992.04.27 |
| 申请人 |
INSTITUT FIZIKI POLUPROVODNIKOV SO RAN |
发明人 |
MISHCHENKO ALEKSEJ M;TALIPOV NIYAZ KH;SHASHKIN VALERIJ V |
| 分类号 |
H01L21/425;(IPC1-7):H01L21/425 |
主分类号 |
H01L21/425 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
