| 摘要 |
<P>L'invention concerne un circuit de protection contre des décharges électrostatiques qui comprend: un bus (17) relié à au moins une pastille de signal; un shunt (47) susceptible d'amener un courant du bus à un plan de masse (41); un moyen de déclenchement qui inclut une chaîne (51) de transistors à effet de champ (51a à 51g), couplée entre pastille et plan de masse, un nœud (53) entre deux des transistors, un inverseur à résistance de charge (59) et à transistor à effet de champ (57) reliés en série entre le bus et ledit plan de masse, une grille (55) dudit transistor de déclenchement étant reliée au nœud, un nœud (61) de sortie dudit inverseur entre ladite résistance de charge et ledit transistor de déclenchement, et un inverseur CMOS (65, 67) à entrée (63) reliée audit nœud de sortie dudit inverseur et à sortie (69) reliée à l'élément de shunt.</P>
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