| 摘要 |
<p>Halbleiterbauelement, bei dem die gemeinsame Stromzuführung über ganzflächig vorhandene vergrabene Metallschichten (7, 9) erfolgt, die mit aktiven Funktionselementen (1) durch vertikale leitende Verbindungen (13, 15) verbunden sind, wobei die nicht zu kontaktierenden Ebenen durch diese vertikalen Verbindungen (13, 15) ummantelnde Schichten aus Dielektrikum (11) dagegen isoliert sind.</p> |
