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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersensors mit trichterförmigen Öffnungen in dem Halbleitersubstrat.
摘要
申请公布号 DE69009936(T2) 申请公布日期 1994.11.03
申请号 DE19906009936T 申请日期 1990.11.15
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 HIRANO, HIROKAZU, C/O INTELLECTUAL PROPERTYDIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP;YAMAKI, BUNSHIRO, C/O INTELLECTUAL PROPERTYDIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP
分类号 G01P15/08;G01P15/12;H01L29/84;(IPC1-7):G01P15/12 主分类号 G01P15/08
代理机构 代理人
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