生长多个单晶体的方法和设备

摘要

一种通过维持熔体内熔化的源材料的纯度从一个重新添加熔体中生长多个高纯度单晶的方法，所说熔体盛装在用于生长高纯度单晶的炉内坩埚中。该方法包括如下步骤：从坩埚原料生长至少一个晶体，提取一部分剩余在坩埚中的熔体，以及至少再生长一个单晶。用该方法的提取设备包括一个具有一个入口管的绝热容器，该入口管用于将熔化的源材料引入该容器中。利用和容器相连的真空将该源材料抽入容器内。

主权项

1、一种通过维持熔体中的熔化的源材料具有足够高纯度、从一种重新添加的熔体生长多个高纯度单晶的方法，所说熔体盛放在一个用于生长高纯度单晶的炉的坩埚内，所说方法包括如下步骤：从坩埚内的源材料中生长至少一个晶体；提取很大部分留在坩埚中的熔体；加入高纯度源材料至该熔体；以及至少再生长一个单晶；因此，熔体中杂质的增加速度被延缓，在杂质浓度达到沾污水平之前生长出多个晶体。