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发明名称 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要
申请公布号 DE4016346(C2) 申请公布日期 1994.10.27
申请号 DE19904016346 申请日期 1990.05.21
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 LEE, SOO-CHEOL, SEOUL/SOUL, KR
分类号 G11C16/04;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/72;G11C16/02 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
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