发明名称 IMPROVED MASK FOR PHOTOLITHOGRAPHY.
摘要 Est décrit un perfectionnement pour réduire les effets de proximité, consistant à ajouter, dans le motif de masque, des lignes minces appelées barres d'égalisation d'intensité. Ces barres d'égalisation ont pour fonction d'ajuster les gradients d'intensité des bords isolés du motif de masque, afin qu'ils correspondent aux gradients d'intensité des bords très rapprochés. Ces barres d'égalisation sont placées parallèlement aux bords isolés de telle manière que l'égalisation des gradients d'intensité s'effectue sur tous les bords isolés du motif de masque. En outre, les barres d'égalisation sont destinées à présenter une largeur notablement inférieure à la résolution de l'outil de sensibilisation. Par conséquent, lesdites barres qui sont présentes dans le motif de masque produisent des motifs de résist qui disparaissent complètement au dléveloppement lorsqu'une énergie de sensibilisation nominale est utilisée pendant l'exposition du photorésist.
申请公布号 EP0620931(A1) 申请公布日期 1994.10.26
申请号 EP19930903571 申请日期 1993.01.15
申请人 MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC. 发明人 CHEN, JANG, FUNG;MATTHEWS, JAMES, A.
分类号 G03F1/00;G03F1/36;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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