| 发明名称 | 镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管及其集成技术 | ||
| 摘要 | 镓铟砷横向光电晶体管及其集成技术包括两项内容：一是根据横向光电晶体管的原理制作的一种均匀掺杂、宽基区，发射极结和集电极结在镓铟砷外延层顶部横向排列，电极对称，极性任意的光电器件。二是镓铟砷横向光电晶体管(5)与结型场效应晶体管(6)可以集成在一个镓铟砷外延层上，做成光电器件与电子器件集成在一起的长波长接收器。其最大优点是两种器件外延层共用；工艺相容，而制作的长波长接收器可广泛用于光纤通信接收机和中继器。 | ||
| 申请公布号 | CN1094188A | 申请公布日期 | 1994.10.26 |
| 申请号 | CN93114285.7 | 申请日期 | 1993.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所;电子工业部第十三研究所 | 发明人 | 李安民 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L31/18 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中国科学院专利事务所 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种镓铟砷横向光电晶体管及其集成技术，其特征在于，将镓铟砷横向光电晶体管(5)与镓铟砷结型场效应晶体管(6)制作在同一镓铟砷处延层(2)上。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||