DRAIN CONTROL CIRCUIT FOR RAISING RELIABILITY OF MOS TRANSISTOR,申请号KR19880014067U-传众专利搜索

发明名称	DRAIN CONTROL CIRCUIT FOR RAISING RELIABILITY OF MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号	KR940007761(Y1)	申请公布日期	1994.10.24
申请号	KR19880014067U	申请日期	1988.08.29
申请人	GOLDSTAR ELECTRON CO., LTD.	发明人	SHIM, JAE - KWANG;HO, YUN - JONG;SONG, NAK - UN
分类号	(IPC1-7):H01L29/784	主分类号	(IPC1-7):H01L29/784
代理机构		代理人
主权项
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