防工件处理折旧效应之工件固定机构遮护装置及方法

摘要

一种用以防止多数晶圆登记表面14，30以及一晶圆保留台26在化学蚀刻程序时折旧效应之遮护装置包含一对定位于一晶圆10外侧边缘沿线之蚀刻遮护32，32′。该晶圆10以各登记表面14向该晶圆保留台26登记。该晶圆保留台26以及该晶圆10绕着一通过该晶圆10中心之轴36旋转。一化学蚀刻仪器探针18在该晶圆10旋转时随该晶圆10沿一固定晶圆直径34移动。该探针18起初定位于一第一蚀刻遮护32′之上而随该晶圆10移动跨过该晶圆直径34直抵一第二蚀刻遮护32为止。该探针在不伸出该晶圆边缘外侧上将该晶圆10整个表面扫瞄，因此，不会使该晶圆保留物质14，26，30有折旧效应。

主权项

1.一种用以防护一工件之固持机构使免于在所述 工件之处 理期间内产生折旧效应之装置,所述装置包含:用 以旋转 所述工件之设置;用以将所述工件固持于所述旋转 设置之 设置;用以沿所述旋转工件之一直径将所述工件之 所述处 理定位之设置,其中所述处理不延伸至所述直径以 外;以 及用以遮护所述旋转设置及所述固持设置使免于 所述旋转 工件之已定位处理之设置,其中所述用以遮护之设 置系沿 所述工件之所述直径之外侧边缘置放并容许所述 旋转设置 及所述固持设置于其底下通过。2.如申请专利范 围第1项之装置,其中所述用以旋转所述 工件之设置系一晶圆保留台,其中所述晶圆保留台 能以顺 时钟或逆时钟方向绕一通过所述工件中心之轴旋 转。3.如申请专利范围第1项之装置,其中所述用以 将所述工 件固持于所述旋转设置之设置包含多数工件边缘 登记(对 准)表面。4.如申请专利范围第1项之装置,其中所 述工件系一半导 体晶圆,并且其中所述用以将所述工件固持于所述 旋转设 置之设置包含:多数附加登记(对准)表面。5.如申 请专利范围第1项之装置,其中所述用以将所述工 件之所述处理沿所述旋转工件一直径加以定位之 设置包含 一用以将在一固定工件处理仪器下之所述旋转工 件作直径 移动之设置。6.如申请专利范围第5项之装置,其中 所述用以将所述旋 转工件作直径移动之设置系一可移动晶圆保留台 。7.如申请专利范围第6项之装置,其中所述工件系 一半导 体晶圆,并且其中所述固定工件处理仪器系一化学 蚀刻仪 器。8.如申请专利范围第1项之装置,其中所述用以 将所述工 件之所述处理沿所述旋转工件一直径加以定位之 设置包含 一用以将一工件处理仪器沿所述旋转工件直径作 直径移动 之设置。9.如申请专利范围第8项之装置,其中所述 用以将所述工 件处理仪器作直径移动之设置系一可移动工件处 理仪器。10.如申请专利范围第9项之装置,其中所 述工件系一半 导体晶圆,并且其中所述可移动工件处理仪器系一 化学蚀 刻仪器。11.如申请专利范围第1项之装置,其中所 述用以遮护所 述旋转设置以及所述固持设置以防止所述旋转工 件之已定 位处理之设置包含多数固定蚀刻遮护,其中所述多 数固定 蚀刻遮护系沿所述旋转工件之一外侧边缘而被固 定定位, 并且其中所述多数固定蚀刻遮护将所述旋转设置 以及所述 固持设置加以遮护以防止所述已定位工件处理。 12.如申请专利范围第1项之装置,其中所述用以遮 护所 述旋转设置以及所述固持设置以防止所述旋转工 件之所述 已定位处理之设置包含多数可移动蚀刻遮护,其中 所述多 数可移动蚀刻遮护系沿所述旋转工件一外侧边缘 以可移动 方式被定位,其中所述各个多数可移动蚀刻遮护之 移动系 受一悬空靠着所述旋转工件之所述外侧边缘一轮 廓之凸轮 所控制,并且其中所述多数可移动蚀刻遮护将所述 旋转设 置以及所述固持设置加以遮护以防止所述已定位 工件处理 。13.一种用以遮护一工件之固持机构使免于在所 述工件之 处理期间内产生折旧效应之方法,所述方法包括以 下各步 骤:藉多数工件边缘登记(对准)表面将所述工件固 持于一 保留台;将所述晶圆保留台以及所述被固持工件绕 一通过 所述被固持工件中心之轴旋转;沿所述旋转工件之 一直径 将所述工件之所述处理定位,其中所述处理不延伸 至所述 直径以外;以及将所述保留台以及所述多数工件边 缘登记 (对准)表面通过一遮护设置底下而予遮护使免于 所述已定 位之工件处理。14.如申请专利范围第13项之方法, 其中所述藉多数工件 边缘登记(对准)表面将所述工件固持于一保留台 之步骤包 括藉所述多数工件边缘登记(对准)表面将所述工 件登记( 对准)于所述保留台之次步骤。15.如申请专利范围 第13项之方法,其中将所述工件之所 述处理加以定位之所述步骤包括将所述旋转工件 随一固定 工件处理仪器作直径移动之步骤。16.如申请专利 范围第13项之方法,其中将所述工件之所 述处理加以定位之所述步骤包括将一工件处理仪 器沿所述 旋转工件之所述直径移动之步骤。17.如申请专利 范围第13项之方法,其中遮护所述保留台 以及所述多数工件边缘登记(对准)表面之所述步 骤包括将 一对固定蚀刻遮护沿所述旋转工件之一外侧边缘 在所述旋 转工件直径相对两相对端上加以固定定位之次步 骤。18.如申请专利范围第13项之方法,其中所述保 留台以及 所述多数工件边缘登记(对准)表面之所述遮护步 骤包括将 一对可移动蚀刻遮护沿所述旋转工件之一外侧边 缘在所述 旋转工件直径之两相对端上以可移动方式加以定 位之次步 骤。图1例示一在一周围以及一上矽绝缘体半导体 晶圆之 上一先前技艺来回连续型扫瞄之路径型。图2系沿 图3线 2-2之顶视图,乃依据本发明一上矽绝缘体半导体晶 圆 化学蚀刻程序防止各种晶圆保留物质折旧蚀刻效 应并具备 各可移动蚀刻遮护之一遮护装置。图3系沿图2线3- 3 剖面侧视图,乃依据本发明一上矽绝缘体半导体晶 圆化学 蚀刻程序防止各种晶圆保留物质折旧蚀刻效应之 一遮护装 置。图3包括一晶圆登记表面之剖面侧视俾例示一 登记表 面以及一可移动蚀刻遮护间之分隔关系。图4系沿 图5线 4-4之顶视图,乃依据本发明一上矽绝缘体半导体晶 圆 化学蚀刻程序防止各种晶圆保留物质折旧效应并 具备各固 定蚀刻遮护之一遮护装置。图5系沿图4线5-5剖面 侧 视图,乃依据本发明一上矽绝缘体半导体晶圆化学 蚀刻程 序防止各种晶圆保留物质折旧效应之一遮护装置 。图5包 括一晶圆登记表面之剖面侧视俾例示一登记表面 以及一固