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发明名称 EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 JPH06295867(A) 申请公布日期 1994.10.21
申请号 JP19930083339 申请日期 1993.04.09
申请人 NIPPON STEEL CORP 发明人 FUJITA YUKIHISA
分类号 H01L21/205;H01L21/268;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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