Réseau de diodes monolithique.

摘要

La présente invention concerne un composant formé dans une plaquette semiconductrice (10) d'un premier type de conductivité comprenant une pluralité de premières zones (P1-1 à P1-n) du deuxième type de conductivité dans la face avant de la plaquette et revêtues de premières métallisations (M1-1 à M1-n); une deuxième zone (P2) du deuxième type de oonductivité et une troisième zone (N2) du premier type de conductivité dans la face avant de la plaquette; une deuxième métallisation (M3) revêtant les deuxième et troisième zones; une quatrième zone du premier type de conductivité (N1) dans la face arrière en face des premières et deuxième zones; une cinquième zone du deuxième type de conductivité (P3) dans la face arrière en face de la troisième zone; et une métallisation de face arrière (M2).