| 发明名称 |
PRODUCTION OF IMPURITY-DOPED SEMICONDUCTOR CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06293600(A) |
申请公布日期 |
1994.10.21 |
| 申请号 |
JP19930195760 |
申请日期 |
1993.08.06 |
| 申请人 |
STANLEY ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
MARUYAMA TAKESHI;OKUNO YASUO |
| 分类号 |
C30B19/00;C30B29/48;C30B33/02;H01L21/324;H01L21/477;(IPC1-7):C30B29/48 |
主分类号 |
C30B19/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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