发明名称 具有内植通道之MNOS电晶体之制法
摘要
申请公布号 TW028584 申请公布日期 1980.02.01
申请号 TW06712479 申请日期 1978.11.22
申请人 美国无线电公司 发明人 BURCHELL BEACONSFIELD;THEODORE (NMN) KAMPRATH
分类号 H01L21/426 主分类号 H01L21/426
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项
地址 美国新泽西州普林斯顿巿